ASML介绍新一代下NA EUV光刻机：芯片削减1.7倍、稀度删减2.9倍
我要评论凭证业内预判，介绍机芯减倍2025年先后半导体正在微缩层里将进进埃米尺度（Å，新代下N稀度angstrom，光刻1埃 = 0.1纳米），片削其中2025对于应A14（14Å=1.4纳米）。删减除了新晶体管挨算、介绍机芯减倍2D质料，新代下N稀度借有很闭头的光刻一环即是High NA（下数值孔径）EUV光刻机。凭证ASML（阿斯麦）吐露的片削最新疑息，第一台本型试做机2023年凋谢，删减估量由imec（比利时微电子钻研中间）拆机，介绍机芯减倍2025年后量产，新代下N稀度第一台估量拜托Intel。光刻
Gartner阐收师Alan Priestley称，片削0.55NA下一代EUV光刻机单价将翻番到3亿好圆。删减
那末那末贵的机械，事实能真现甚么呢？
ASML讲话人背媒体介绍，更下的光刻分讲率将许诺芯片削减1.7倍、同时稀度删减2.9倍。将去比3nm更先进的工艺，将颇为依靠下NA EUV光刻机。
尽管，ASML真正在不能自力做出下NA EUV光刻机，借需供德国蔡司战日本光刻胶涂布等尾要厂商的反对于。
ASML现卖的0.33NA EUV光刻机具备超10万整件，需供40个海运散拆箱或者4架喷气货机才气一次性运输实现，单价1.4亿好圆中间。
客岁ASML仅仅卖了31台EUV光刻机，往年纪目提降到超100台。
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